型号参数与资料
- 型号
- IPB049NE7N3 G
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 75V |
| 连续漏极电流Id | 80A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.4mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 68nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W |
| 高度 | 4.4mm |
| 长度 | 10mm |
| 系列 | OptiMOS3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 9.25mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 52S |
| 下降时间 | 8ns |
| 上升时间 | 11ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns |
| 典型接通延迟时间 | 14ns |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
功率MOSFET 10mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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